肖特基二極管的作用

肖特基二極管的作用

肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)

它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。

肖特基二極管(Schottky Diodes)

肖特基二極管金屬與半導體接觸所形成的勢壘對電流進行控制。它的主要特點是具有較低的正向壓降（0.3V至0.6V）；它是多子參與導電，這就比少子器件有更快的反應速度。肖特基二極管常用在門電路中三極管集電極的箝位二極管，以防止三極管因進入飽和而降低開關速度。

肖特基勢壘二極管SBD（Schottky Barrier Diode，簡稱肖特基二極管）

是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。這些優良特性是快恢復二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。