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近日消息，據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)IHSiSuppli公司的研究，2010年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，銷售額達(dá)到23億美元，比2009年的16億美元增長(zhǎng)43%。
直到去年第三季度，功率MOSFET功率MOSFET
“MOSFET”是英文metal-oxide- semiconductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體S的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。功率MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET，它具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性。
在2010年多數(shù)時(shí)間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國(guó)各行業(yè)的需求，包括本地?cái)?shù)據(jù)處理、消費(fèi)與通信領(lǐng)域。功率MOSFETMOSFET金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱全氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
是為處理較高的功率級(jí)而設(shè)計(jì)的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源電源電源是向電子設(shè)備提供功率的裝置，也稱電源供應(yīng)器，它提供計(jì)算機(jī)中所有部件所需要的電能。
與DC-DC轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換器 轉(zhuǎn)換器從原理上可分為協(xié)議轉(zhuǎn)換器、接口轉(zhuǎn)換器兩大類。從應(yīng)用上又可以分光纖轉(zhuǎn)換器、光電轉(zhuǎn)換器、視頻轉(zhuǎn)換器等等。例如視頻轉(zhuǎn)換器就是一種連接電腦和電視的設(shè)備，它可以把電腦上的內(nèi)容轉(zhuǎn)換并顯示在電視機(jī)上，讓人們可以在電視上學(xué)電腦，上網(wǎng)，玩游戲，做商業(yè)演示，看股票等等。 [全文]中的低電壓開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān) 開(kāi)關(guān)是最常見(jiàn)的電子元件，功能就是電路的接通和斷開(kāi)。接通則電流可以通過(guò)，反之電流無(wú)法通過(guò)。在各種電子設(shè)備、家用電器中都可以見(jiàn)到開(kāi)關(guān)。 。
去年功率MOSFETFET
FET即Field Effect Transistor，譯為場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)。有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極。 在中國(guó)市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，可能主要?dú)w功于中國(guó)政府的推動(dòng)。為了鼓勵(lì)投資和刺激經(jīng)濟(jì)，中國(guó)政府推出了一系列政策。這些政府行動(dòng)使一些應(yīng)用功率MOSFETMOSFET金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱全氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。的產(chǎn)業(yè)受益，包括汽車 、通信、消費(fèi)、綠色能源與工業(yè)。這個(gè)消費(fèi)循環(huán)的最后一環(huán)是中國(guó)本地人口，尤其是那些城市居民，他們對(duì)于電子產(chǎn)品的需求非常旺盛。
但是，2011年功率MOSFET增長(zhǎng)速度不會(huì)像去年那么快。一方面，中國(guó)政府在投資方面變得更加謹(jǐn)慎，并開(kāi)始緊縮政策以抑制通脹。另一方面，日本3月地震預(yù)計(jì)會(huì)至少影響未來(lái)幾個(gè)月的晶圓與原材料供應(yīng)。圖6所示為2009-2015年中國(guó)MOSFET銷售額預(yù)測(cè)。
2010年數(shù)據(jù)處理占中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)的40%，銷售額為9.01億美元，是最大領(lǐng)域，以筆記本電腦和臺(tái)式PC為主。IHSiSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，未來(lái)幾年，數(shù)據(jù)處理將繼續(xù)在中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)占據(jù)主要地位，2010-2015年增長(zhǎng)速度約為12%，筆記本將是推動(dòng)增長(zhǎng)的主要因素。
2010年中國(guó)第二大功率MOSFET市場(chǎng)是消費(fèi)電子，占24%，銷售額為5.45億美元，受益于中國(guó)對(duì)電視和家用電器的旺盛需求。中國(guó)功率MOSFET的其它市場(chǎng)包括：無(wú)線通信，占13%；有線通信，占10%；工業(yè)電子，占8%；汽車電子，占5%。
2010-2015年中國(guó)功率MOSFET市場(chǎng)的總體復(fù)合年度增長(zhǎng)率將為13.7%。
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