TDM3478使用先進的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。" />

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              TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片

              時間:2023-08-01 11:24:37來源: 作者: 點擊:
              概述
              TDM3478使用先進的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。
              概述
              TDM3478使用先進的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。

              一般說明
              RDS(ON)< 9.7mΩ @ VGS=4.5V
              RDS(ON)< 6mΩ @ VGS=10V
              高功率和電流處理能力
              ESD保護
              表面安裝包
              無鉛和綠色設(shè)備可用(RoHS兼容)

              應(yīng)用
              PWM應(yīng)用程序
              負(fù)載交換機
              電源管理
              供電系統(tǒng)
              TDM3478-1TDM3478-2TDM3478-3容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持

              非常感謝用戶BSDZ123 的投稿!

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